• TI 在日本增加了 GaN 制造，将其在美国和日本工厂之间的内部 GaN 制造能力提高了四倍。
• TI 的 GaN 半导体现已投入生产并可供使用。
• TI 实现了凭借最广泛的集成 GaN 功率半导体产品组合，提供最节能、最可靠、功率密度最高的最终产品。
• TI 已成功在 300mm 晶圆上试点开发 GaN 制造技术。

德州仪器 (TI)（纳斯达克股票代码：TXN）今天宣布，其位于日本会津的工厂已开始生产氮化镓 (GaN) 基功率半导体。加上其在德克萨斯州达拉斯市的现有 GaN 制造，随着 Aizu 投入生产，TI 现在将在内部生产四倍于 GaN 的功率半导体。

“凭借十多年的专业知识，TI 技术与制造高级副总裁 Mohammad Yunus 表示：“在 GaN 芯片设计和制造方面，我们已成功验证了 200mm GaN 技术的资格，这是当今最具可扩展性和成本竞争力的 GaN 制造方式，可在会津开始大规模生产。这一里程碑使我们能够在内部制造更多 GaN 芯片，因为到 2030 年，我们的内部制造率将提高到 95% 以上，同时还从多个 TI 工厂进行采购，确保了我们的产品的可靠供应。”整个 GaN 产品组合的高功率、节能半导体。”

GaN 技术的力量
作为硅的替代品，GaN 是一种半导体材料，在能源效率、开关速度、电源解决方案尺寸和重量、整体系统成本以及高温和高压条件下的性能方面具有优势。GaN 芯片提供更高的功率密度或在更小的空间中提供功率，使应用能够用于笔记本电脑和移动电话的电源适配器，或者用于供暖和空调系统以及家用电器的更小、更节能的电机。

如今，TI 提供最广泛的集成 GaN 功率半导体产品组合（从低压到高压），以实现最节能、可靠和功率密集的电子产品。

“借助 GaN，TI 可以在紧凑的空间（这是主要市场）中更高效地提供更多功率。需要为我们的许多客户推动创新。”TI 高压电源副总裁 Kannan Soundarapandian 说道。 “随着服务器电源、太阳能发电和 AC/DC 适配器等系统的设计人员面临降低功耗和提高能源效率的挑战，他们越来越需要 TI 高性能 GaN 芯片的可靠供应。TI 的集成 GaN 功率级产品组合使客户能够实现更高的功率密度、改进的易用性和

此外，凭借该公司专有的硅基氮化镓工艺、超过 8000 万小时的可靠性测试以及集成保护功能，TI GaN 芯片旨在确保高压系统的安全。

当今最先进的 GaN 制造技术
使用当今最先进的 GaN 芯片制造设备，TI 的新产能可提高产品性能和制造工艺效率以及成本优势。

此外，TI 扩展的 GaN 制造中使用的更先进、更高效的工具可以生产更小的芯片，封装更多的功率。这种设计创新可以使用更少的水、能源和原材料来制造，并且使用 GaN 芯片的最终产品也享有同样的环境效益。

针对未来的进步进行扩展
TI 增加的 GaN 制造的性能优势。也使公司将其 GaN 芯片扩展到更高的电压，从 900V 开始，随着时间的推移逐渐增加到更高的电压，从而进一步促进机器人、可再生能源和服务器电源等应用的能效和尺寸创新。

此外，TI 的扩大投资包括今年早些时候在 300mm 晶圆上开发 GaN 制造工艺的成功试点。此外，TI 扩展的 GaN 制造工艺可完全转移到 300mm 技术，使该公司能够轻松满足客户需求并在未来转向 300mm。

致力于负责任的可持续制造
扩大 GaN 技术的供应和创新是 TI 致力于负责任的可持续制造的最新例证。 TI 承诺到 2027 年在其美国业务中使用 100% 可再生电力，到 2030 年在全球业务中使用 100% 可再生电力。